CR6267SJ_12V1.5A
芯片描述
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CR6267SJ芯片特性：
● CR6267SJ内置650V高压功率MOSFET，反激式原边检测PWM功率开关；
● SOP-8封装，一侧引脚（5-8）全为内置MOS漏极，方便散热设计；
● 内置软启动，减小MOSFET的应力，内置斜坡补偿电路；
● 具有QR准谐振导通功能，谷底导通功能优化效率；
● 低功耗以及良好的负载动态特性；
● 具有良好的EMI特性；
● 具有“软启动、OCP、SCP、OTP、OVP”等多种保护功能；
● 原边反馈，无需光耦和TL431,可调式线损补偿,IC基准精度±1%；
● 电路结构简单、较少的外围元器件，适用于小功率AC/DC电源适配器、充电器
实物图
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整机参数
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类型 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
待机功耗 | PNL | 71 | mW | @AC264V | ||
| 低压效率 | η | 85.85% | % | @AC115V | ||
高压效率 | η | 86.49% | % | @AC230V | ||
线性调整率 | Δvline | 0 | - | ＜5 | % | @AC90V~AC264V |
线损补偿 | Δvload | 0 | % | @AC90V~AC264V | ||
| 启动时间 | Tst | 2.6 | s | @AC90V 100%Load |
保护功能测试
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类型 | 实现方式 | 恢复条件 |
过流保护 | CS端检测 | 负载正常后自动恢复 |
短路保护 | FB端检测 | 负载正常后自动恢复 |
| 过压、欠压保护 | FB/VDD端检测 | 输出电压正常后自动恢复 |
过温保护 | 150°C自动保护 | 温度下降后自动恢复 |
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