CR5842B_19V3.42A
芯片描述
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CR5842B芯片特性：
● CR5842B采用内置700V高压启动，反激PWM控制器；
● 内置软启动，减小MOSFET的应力，内置斜坡补偿电路；
● 65kHz开关频率，具有频率抖动功能，使其具有良好的EMI特性；
● 全电压输入范围，待机功耗:< 50mW；
● 输出接18AWG 1.5米，四点平均效率:>88.0%，满足“能源之星V2.0- VI级能效；
● 具有输入欠压Brownout保护功能；
● 具有“软启动、OCP、SCP、OTP自动恢复”等保护功能, OVP锁存保护功能；
● 电路结构简单、较少的外围元器件，适用于AC/DC电源适配器、充电器。
实物图
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整机参数
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类型 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
待机功耗 | PNL | 49 | mW | Vin=AC 264V | ||
| 低压效率 | η | 88.916% | % | AC115V平均效率 | ||
高压效率 | η | 89.258% | % | AC230V平均效率 | ||
线性调整率 | Δvline | 0.03 | % | |||
负载调整率 | Δvload | 1.6 | % | |||
| 启动时间 | Tst | 112 | ms | 90VAC满载 |
保护功能测试
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类型 | 实现方式 | 恢复条件 |
过流保护 | CS端检测 | 负载正常后自动恢复 |
短路保护 | FB端检测 | 负载正常后自动恢复 |
| 过压保护 | VDD端检测 | 负载正常后锁存 |
过温保护 | 150°C自动保护 | 温度下降后自动恢复 |
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