CR5269SSG_12V1A
芯片描述
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CR5269SSG芯片特性：
● CR5269SSG 是内置650V高压功率 MOSFET，反激式PWM 功率开关；
● 内置软启动，减小MOSFET 的应力，内置斜坡补偿电路；
● 65kHz 开关频率，具有频率抖动功能，具有良好的EMI 特性；
● 全电压输入范围，待机功耗:< 75mW；
● 具有“软启动、OCP、OLP、OTP、VDD、OVP”等保护功能；
● 电路结构简单、较少的外围元器件，适用于小功率AC/DC电源适配器、充电器。
实物图
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整机参数
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类型 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
待机功耗 | PNL | 54 | mW | @AC264V | ||
| 低压效率 | η | 84.09% | % | @AC115V | ||
高压效率 | η | 84.23% | % | @AC230V | ||
线性调整率 | Δvline | 0 | 1 | % | @AC90V~AC264V | |
负载调整率 | Δvload | 0 | 3 | % | @AC90V~AC264V | |
动态测试 | VO | 11.76 | 12.56 | V | @AC90V~AC264V | |
启动时间 | Tst | 2.3 | s | @AC90V 100%Load |
保护功能测试
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类型 | 实现方式 | 恢复条件 |
过流保护 | CS端检测 | 负载正常后自动恢复 |
短路保护 | FB/VDD端检测 | 负载正常后自动恢复 |
| 过温保护 | 150°C自动保护 | 温度下降后自动恢复 |
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